Bu, içinde onlarca veya on milyarlarca transistörden oluşan entegre devrelere sahip paketlenmiş bir çiptir. Mikroskop altında yakınlaştırdığımızda, iç mekanın bir şehir kadar karmaşık olduğunu görebiliriz. Entegre devre, bir tür minyatür elektronik cihaz veya bileşendir. Kablolama ve ara bağlantı ile birlikte, yapısal olarak birbirine yakın ve dahili olarak ilişkili elektronik devreler oluşturmak için küçük veya birkaç küçük yarı iletken yonga levhası veya dielektrik alt tabakalar üzerinde üretilir. En basit voltaj bölücü devreyi örnek olarak ele alalım, bunun çip içinde nasıl gerçekleştirileceğini ve etki üretileceğini gösterelim.
Yarı iletken teknolojisi sayesinde entegre devreler küçültülebilir. Saf silikon bir yarı iletkendir; bu, elektriği iletme yeteneğinin yalıtkanlarınkinden daha kötü olduğu, ancak metaller kadar iyi olmadığı anlamına gelir. Dolayısıyla, silikonu yarı iletken yapan şey, az sayıdaki mobil yüktür. Ancak chip-work doping için gizli bir silah vazgeçilmezdir. Silikon için P-tipi ve N-tipi olmak üzere iki doping tipi vardır. N-tipi silikon elektriği elektronlarla iletir (elektronlar negatif yüklüdür) ve P-tipi silikon elektriği deliklerle (çok sayıda pozitif yüklü delik) iletir. Voltaj bölücü devredeki anahtar çipte neye benziyor ve nasıl çalışıyor?
Entegre devredeki anahtar işlevi, bir tür elektronik anahtar olan transistör gövdesidir. Yaygın MOS tüpü, MOS tüpüdür ve MOS tüpü, P-tipi silikon substrat üzerinde N-tipi ve P-tipi yarı iletkenlerden yapılmıştır. İki N-tipi silikon bölgesi üretilir. Bu iki N tipi silikon bölge, MOS tüpünün Kaynak elektrotu ve Drenaj elektrotudur. Daha sonra Kaynak ve Tahliyenin orta alanının üzerinde bir silikon dioksit tabakası üretilir ve ardından silikon dioksit kaplanır. Bir iletken tabakası, bu iletken tabakası MOS tüpünün GATE direğidir. P-tipi malzeme çok sayıda deliğe ve sadece birkaç elektrona sahiptir ve delikler pozitif yüklüdür, bu nedenle alanın bu bölümünde pozitif yüklü delikler baskındır ve az sayıda negatif yüklü elektron vardır ve N tipi alan negatif yüklüdür. Elektronik hakim.
Bir musluk benzetmesini kullanalım. En sağdaki Kaynak'tır. Biz ona suyun aktığı yer olan kaynak diyoruz. Ortadaki kapı, bir su vanasına eşdeğer olan kapıdır. Soldaki tahliye, suyun sızdığı yerdir. Tıpkı su akışı gibi, elektronlar da kaynaktan drenaja doğru akar. Sonra ortada P malzemesi olan bir engel var. P malzemesinin çok sayıda pozitif yüklü deliği vardır ve elektronlar deliklerle buluşur. Nötralize edildi ve geçemez. o zaman ne yapmalıyız? P tipi malzemedeki negatif yüklü elektronları çekmek için ızgaraya pozitif bir yük ekleyebiliriz. P-tipi malzemede çok fazla elektron olmamasına rağmen, ızgaraya pozitif bir yük eklemek yine de bir kanal oluşturmak için bazı elektronları çekebilir. Elektron geçer. Özet, kaynağın elektronların sürekli olarak drenaja akmasını sağlayan, ancak ızgaradan geçip geçemeyeceklerini sağlayan elektronların kaynağıdır. Izgara, MOS tüpünün açılıp kapanmasını kontrol eden bir valf, bir anahtar gibidir. Elektronik anahtar olarak MOS tüpünün prensibi budur.
Artık elektronik şalter bilindiğine göre, direncin gerçekleşmesine bakalım. Önce, P-tipi silikon substrat üzerinde N-tipi bir alan yapın ve ardından N1 ve N2'nin iki direnç olması için N-tipi alanın iki ucunu çıkarmak için metal kullanın. Bu son, yani voltaj bölücü devrenin entegre devresi, devrenin bağlantı ilişkisine göre silikon çip üzerinde bahsettiğimiz MOS tüp ve direnci bağlamak için metal kullanmaktır.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy
